Envansyon an gen rapò ak yon metòd pou ranpli kabòn nan pati anba a nan gwo founo dife pandan SMELTING nan metal Silisyòm
Nan pwosesis la nan founo elektrik SMELTING nan Silisyòm metal, lo a se pwosesis la an premye, kantite lajan an nan kabòn yo itilize nan chak pakèt dirèkteman afekte endèks yo ekonomik ak teknik nan chak faz, ak konsomasyon nan kabòn se yon endèks kontwòl kle nan pwosesis la nan elektrik founo SMELTING nan Silisyòm metal. Lè gen ase kabòn nan gwo founo dife a, silica pa ka konplètman redwi, ak silica twòp jenere yon gwo kantite monoksid Silisyòm nan gwo fou a. Pati nan diyoksid la Silisyòm depase vin likid ak slagged ansanm ak enpurte nan matyè premyè yo, ki fè kondisyon yo gwo founo dife chanje. Lè gen yon sipli nan kabòn nan gwo founo dife a, Silisyòm carbure yo pral pwodwi nan gwo founo dife a, ki flote nan oksid yo nan metal Silisyòm amelyore viskozite a nan fonn a, sa ki lakòz salop la gwo founo dife se difisil yo retire soti nan gwo fou a, twòp kabòn pral amelyore konduktivite tanperati ki ba nan chaj la epi redwi rezistans chaj la, sa ki lakòz leve elektwòd. Nan pwosesis pwodiksyon aktyèl la, ka Silisyòm gwo founo dife fusion pwosesis reyaksyon divize an zòn sa yo: (1) zòn nan reyaksyon tanperati ki ba (anba a 1100 ° C) nan gaz la reyaksyon tanperati ki wo, yo sove soti nan tras yo sifas materyèl nan SiO kontak ak oksijèn nan lè a, reyaksyon sa a Si 1/2 = 0 {{12}} SiO2 (1) anba 1100 ° C SiO a pa estab, pouvwa tou reyaksyon sa a 2 si0 = Si02 {{13}} Si (2) men aktivite nan diminye ajan sou sifas la, Bay priyorite nan reyaksyon sa a SiO {{28}} C = SiC {{29}} CO (3) (2) jenere zòn SiC (1100, 1800 ° C), reyaksyon (3) soti nan 1100 ° C te kapab antreprann plis fòtman, a 1537 ° C, ka pote soti nan reyaksyon sa yo espontane Si02 + 3 C = SiC + 20 (4) ak (3) jenere fonn lan Silisyòm zòn (pi wo a 1400 ° C), nan apeprè 1400 ° C Silisyòm k ap fonn (egzanp, jenere yon pwen k ap fonn pi ba nan Si - Fe alyaj), apre plis pase pwen k ap fonn pi, reyaksyon an SiO ak kabòn, Si iO+C = Si+C0 Soti nan 1650 ° C, reyaksyon sa a ap kontinye sou bò dwat la pou Si02+2SiC = 3Si+2C0) SiC zòn dekonpozisyon (pi wo a 1800 ° C), ak reyaksyon sa a ap kontinye sou bò dwat la pou Si02 +2SiC = 3Si+2C0 nan yon tanperati ki pi wo, akòz reyaksyon SiC ak SiO, dekonpozisyon an pral pwodwi Silisyòm ak monoksid kabòn. (5) SiO evaporasyon zòn nan (pi wo pase 2000 ° C), ki soti nan 1750 ° C, reyaksyon a sou bò dwat la nan Si02 following C = Si0 following C0 sa yo jodi a lè engredyan yo pandan y ap nan teyori konbine avèk eksperyans pratik nan ase redwi kabòn, men akòz pèt reduktif nan zòn reyaksyon tanperati ki ba a se pi plis, pi fò nan ajan an diminye anvan k ap antre nan jenerasyon an nan Silisyòm fonn zòn anvan fen reyaksyon, nan pwodiksyon an nan Silisyòm fonn rediksyon zòn dòz ki ba, gwo founo dife ki te koze pa mank de chabon , alontèm gwo founo dife mank de chabon, se yon sipli gwo nan silica ki te fòme apre k ap fonn viskoz salop, difisil a elimine, ap lakòz anba a gwo founo dife k ap monte, elektwòd eleman pa fasil, Pèmeyabilite lè a nan sifas la materyèl vin pi mal, ki dirèkteman afekte pwodiksyon an.
